三星大打破：3D NAND光刻胶运用量折半本钱节约数十亿！

　　在3D NAND闪存技能的剧烈竞赛中，三星电子再次展示了其立异实力，最近在光刻工艺上取得了令人瞩目的打破。依据韩媒《TheElec》的报导，三星成功将其出产中运用的光刻胶（PR）用量削减了一半，这一技能革新将每年为三星节约数十亿韩元的本钱！

　　回顾过去，出产3D NAND闪存的每层涂层往往需求耗费7至8cc的光刻胶。而经过精细调控涂布机的旋转速度，并优化PR涂层后的蚀刻工艺，三星现在每层只需4至4.5cc的光刻胶。这不只大起伏降低了原资料本钱，还大起伏的提高了出产功率。

　　关键在于，三星引入了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶技能。这种新资料的厚度使得每次涂布可以构成多层涂层，从而在坚持高精度的一起，显着提高了出产流程的功率。当然，新的资料带来了新的应战。例如，这种高粘度的光刻胶在涂布进程中有几率会使均匀性问题，但三星与其长时间合作伙伴东进半导体化学公司密切合作，成功克服了这一难题。

　　东进半导体作为三星电子的首要供货商，每年依靠光刻胶事务取得约2500亿韩元的收入，其间60%来自三星。但是，跟着三星的光刻胶运用量削减，东进的订单或许会受必定的影响。这不由让人重视：在推进技能进步的一起，三星又该怎么与其供货商平衡利益联系？

　　这一技能革新不只是三星在全球半导体商场中进一步扩展竞赛优势的一步棋，也为整个职业带来了新的考虑。究竟，在技能渐渐的提高的今日，怎么在提高出产力和保证供应链安稳之间找到最佳平衡，是每一个科技公司都需求面临的应战。回来搜狐，检查更加多